MT41J256M8HX-187E:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 8的并行架构。该器件基于成熟的DDR3技术，核心卖点在于其1066 MT/s的有效数据传输速率和13.125ns的低访问时间，能够为系统提供高带宽和快速响应能力。
其工作电压为标准的1.5V（范围1.425V~1.575V），并在0°C至95°C的结温范围内保持稳定运行，适合要求严格的工业环境。芯片采用78-TFBGA封装，便于表面贴装集成。这款存储器适用于对数据吞吐速度和可靠性有明确要求的嵌入式及网络应用场景。
- 型号:MT41J256M8HX-187E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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