MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，可实现高速数据传输。其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度覆盖0°C至70°C，适用于商业级应用环境。
该芯片基于非易失性闪存技术，内部结构为32G x 8位，提供高密度存储解决方案。其核心优势在于将大容量存储与高性能接口相结合，能够满足对数据吞吐量和存储空间有较高要求的应用，是企业级存储和高端嵌入式系统的理想选择。
- 型号:MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（TLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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