MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR是一款64Gb（8G x 8）容量的NAND闪存芯片，采用并联接口，支持83MHz时钟频率，提供高速数据存取能力。其供电电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。
该芯片采用100-TBGA表面贴装封装，以卷带形式提供，便于自动化生产集成。作为非易失性存储器，它在断电后能可靠保存数据，适合大容量存储需求。尽管产品状态已停产，其技术参数仍体现了高密度闪存在性能和兼容性方面的核心优势。
- 型号:MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
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