MT47H64M8CB-5E IT:B TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的位宽组织。该器件基于成熟的DDR2技术，在200MHz的时钟频率下运行，通过双倍数据速率实现高效数据传输，主要面向需要稳定并行内存接口的嵌入式应用。
其核心参数包括1.7V至1.9V的工作电压范围、600ps的快速访问时间以及-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在苛刻环境下的可靠运行。芯片采用60-FBGA表面贴装封装，适用于高密度电路板设计，满足工业控制、通信设备等领域对紧凑型、高性能存储解决方案的需求。
- 型号:MT47H64M8CB-5E IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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