MT29F256G08CMCABH2-10Z:A是一款由美光科技制造的256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-TBGA表面贴装封装。其核心规格包括32G x 8位的存储组织方式、2.7V至3.6V的宽电压供电范围以及100MHz的工作时钟频率，为需要高密度、非易失性存储的应用提供了可靠的数据存储解决方案。
该芯片设计用于在0°C至70°C的环境温度下稳定工作，兼容标准的闪存操作协议。其技术特点侧重于在大容量数据读写场景下提供平衡的性能与可靠性，适用于对存储空间和成本有明确要求的嵌入式系统及数据中心相关设备。
- 型号:MT29F256G08CMCABH2-10Z:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
- 想获取MT29F256G08CMCABH2-10Z:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
