M29F200BB70M6E是美光科技生产的一款2Mb容量并行NOR闪存存储器，采用44-SOIC表面贴装封装。该芯片提供256K x 8位或128K x 16位的灵活组织架构，支持标准的5V电压供电（范围4.5V~5.5V），并具备70ns的快速访问与写入时间，确保了高效的数据吞吐性能。
作为非易失性存储解决方案，它能够在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的数据存储需求。其并行接口设计简化了与主处理器的连接，适用于需要可靠固件存储和直接代码执行的各类嵌入式系统应用。
- 型号:M29F200BB70M6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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