MT49H16M36SJ-25:B

MT49H16M36SJ-25:B是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用16M x 36的存储结构。该器件以400MHz的时钟频率和20ns的访问时间为核心性能指标，旨在提供高速、低延迟的数据访问能力。

其工作电压范围为1.7V至1.9V，采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在紧凑空间和宽温环境下的稳定运行。这款并联接口DRAM主要面向对数据吞吐率和系统带宽有较高要求的应用领域。

• 型号:MT49H16M36SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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