MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR

MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术。其核心特性包括高达167MHz的时钟频率和2.7V~3.6V的宽电压供电，旨在提供高带宽的数据传输和稳定的电源兼容性。

该芯片采用152-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业环境。其32G x 8的存储结构为非易失性数据存储提供了大容量解决方案，主要服务于需要高速、高可靠性闪存存储的各类电子系统。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-VBGA
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