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MICRON
MT40A512M8RH-083E AAT:B的图片

MT40A512M8RH-083E AAT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9x10.5)
优势价格,MT40A512M8RH-083E AAT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8RH-083E AAT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8RH-083E AAT:B是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用并联接口和78-TFBGA表面贴装封装,其核心架构支持高达1.2GHz的时钟频率,实现每秒2400兆次传输的数据速率,为系统提供高带宽内存访问能力。

该芯片在1.2V标准电压下工作,并具备较宽的电压容差范围(1.14V~1.26V),有助于优化功耗与信号稳定性。其设计支持-40°C至105°C的扩展结温工作范围,确保了在严苛环境下的可靠性与数据完整性,适用于对温度有特殊要求的工业和嵌入式应用场景。

  • 型号:MT40A512M8RH-083E AAT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.2 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
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