MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR是美光科技生产的一款256Gb容量、并行接口的NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，核心配置为32G x 8位，可在2.5V至3.6V的宽电压范围内工作，并支持高达333MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写操作。

其关键特性包括大存储密度和通过并行接口实现的高带宽数据传输能力，这使其能够有效满足数据密集型应用的性能需求。器件工作温度范围为0°C至70°C，并以卷带形式提供，确保了在消费级和工业级应用环境下的可靠性及自动化生产的便利性。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 想获取MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料