MT29F4G16ABBDAHC:D TR

MT29F4G16ABBDAHC:D TR是美光科技推出的一款4Gb（256M x 16位）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用1.7V至1.95V宽电压供电，并封装在紧凑的63-VFBGA中，适用于表面贴装工艺。

其核心卖点在于结合了成熟的MLC NAND技术，提供了高存储密度和成本效益。并行接口设计保障了高速数据访问能力，使其适合作为各类嵌入式系统、消费电子及工业控制设备中的主要程序或数据存储介质。

• 型号:MT29F4G16ABBDAHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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