MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B是美光科技生产的一款256Gb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。其核心卖点在于将32GB（32G x 8）的大存储密度与333MHz的高速时钟频率相结合，通过并联接口实现了卓越的数据吞吐性能，能够满足对存储带宽有高要求的应用场景。
该芯片工作在2.5V ~ 3.6V的电压范围内，并支持0°C ~ 70°C的商业级工作温度，确保了在广泛系统环境中的兼容性与稳定性。作为一款成熟的并行NAND闪存解决方案，它为企业级存储、工业计算和网络设备等需要可靠、高速非易失性存储的领域提供了关键组件。
- 型号:MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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