MT41J512M8THD-15E:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3技术，时钟频率为667MHz，可实现1333 MT/s的数据传输速率，并提供低至13.5ns的快速访问时间，有效提升了系统内存子系统的数据吞吐效率与响应速度。
其核心架构为512M x 8位组织模式，工作电压范围为1.425V至1.575V，支持0°C至95°C（TC）的扩展工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。该芯片采用并联接口和表面贴装形式，主要面向对内存带宽、容量及可靠性有较高要求的网络通信、工业控制与嵌入式计算等应用领域。
- 型号:MT41J512M8THD-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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