MT41K512M8RH-125 AAT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 8的存储结构。该器件基于DDR3L技术，核心特性在于其1.35V低工作电压与800MHz高时钟频率的结合，在提供高达1600 MT/s数据传输速率的同时，显著优化了系统功耗。
该芯片采用并联接口与78-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至105°C的宽工业级温度范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。其13.75ns的访问时间与易失性存储特性，使其非常适合作为嵌入式系统、网络设备及汽车电子等领域中需要高速数据缓冲和处理的主存储器解决方案。
- 型号:MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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