M58LT256JSB8ZA6E是美光科技推出的一款256Mb（16M x 16）并行NOR闪存芯片。它采用1.7V至2.0V低电压供电，提供85ns的快速访问时间，并支持高达52MHz的时钟频率，能够满足嵌入式系统中对高速代码执行（XIP）的需求。
该器件采用80-LBGA表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，具备工业级的可靠性。其并联接口和NOR闪存技术特性，使其成为工业控制、汽车电子及网络设备等领域中，用于存储和执行关键固件代码的经典解决方案。
- 型号:M58LT256JSB8ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:80-LBGA（10x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 80LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-LBGA
- 供应商器件封装:80-LBGA（10x12）
- 想获取M58LT256JSB8ZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
