MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR

MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用TLC技术和并联接口。其核心规格为128G x 8的组织结构，工作电压范围为1.7V至1.95V，旨在提供高密度数据存储与高效的数据传输能力。

该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，并以卷带形式供货。这些特性使其成为对存储空间、读写速度及板卡集成度有较高要求的商业级应用的理想选择，能够满足现代数据中心、网络设备及工业嵌入式系统对非易失性大容量存储的需求。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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