MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与MLC（多级单元）技术。该芯片提供16G x 8位的组织架构，在2.7V至3.6V电压范围内工作，时钟频率可达83MHz，旨在实现高密度数据存储与稳定传输性能的平衡。
其核心卖点在于将大容量存储集成于100-LBGA的表面贴装封装内，适用于商用温度范围（0°C至70°C）下的各类嵌入式系统。该器件作为已停产型号，主要服务于既有设计的维护与生产延续，为需要可靠非易失存储解决方案的工业与消费类应用提供了经过验证的硬件基础。
- 型号:MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-LBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-LBGA
- 供应商器件封装:100-LBGA（12x18）
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