MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR是美光科技生产的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，最高支持83MHz时钟频率，提供高速数据读写能力。其核心架构为8位宽数据总线（8G x 8），工作电压范围2.7V~3.6V，适用于广泛的嵌入式系统供电环境。
该器件采用100-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在商业级应用环境下的稳定运行。作为非易失性存储器，它在断电后能可靠保存数据，其卷带包装形式便于自动化生产。这款芯片为需要大容量、高可靠性存储解决方案的应用提供了关键硬件支持。
- 型号:MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
