MT29F1G16ABBDAH4:D是美光科技生产的一款1Gb（64M x 16位）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用1.7V至1.95V低电压供电，基于非易失性闪存技术，数据在断电后仍可保持，其63-VFBGA表面贴装封装适用于高密度PCB板设计。
芯片的核心特性在于其16位宽的并联存储器接口，支持高速数据访问，工作温度范围为0°C至70°C，满足商业级应用环境要求。它主要面向需要可靠、中等容量程序或数据存储的嵌入式系统，如工业控制、网络设备和消费电子等领域的固件存储解决方案。
- 型号:MT29F1G16ABBDAH4:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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