MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR

MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR是美光科技推出的一款3Tb大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心组织架构为384G x 8位，能够满足海量数据存储的需求。

芯片支持高达267MHz的时钟频率，通过并联接口实现高速数据传输，显著提升系统数据吞吐性能。其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容性强，工作温度范围为0°C至70°C，确保在商业应用环境中的稳定可靠性。该产品采用272-ball TBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适用于自动化生产。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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