M29W800DT45ZE6E是一款由美光科技制造的8Mb并行NOR闪存，采用48-TFBGA表面贴装封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的灵活存储组织方式，核心性能指标为45ns的访问时间和写周期时间，确保了高速的数据读取和代码执行能力。
其工作电压为2.7V至3.6V，支持工业级温度范围（-40°C至85°C），具备非易失性存储特性，适用于要求高可靠性和快速响应的嵌入式系统。该芯片适用于从闪存直接执行代码（XIP）的设计，是工业控制、汽车电子及网络设备等应用的经典存储解决方案。
- 型号:M29W800DT45ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:45ns
- 访问时间:45 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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