MT29F1G08ABAEAH4-IT:E是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口，电压供应范围为2.7V至3.6V。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失。
其核心卖点在于工业级宽温工作能力（-40°C至85°C）与63-VFBGA紧凑型封装，适合要求高可靠性与有限板空间的应用。作为已停产器件，它主要服务于既有系统的维护或对特定接口有要求的嵌入式存储方案。
- 型号:MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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