MT29E512G08CKCCBH7-6:C是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用64G x 8位的内部架构和并联接口。其核心卖点在于结合了3D NAND技术带来的高密度存储优势与167MHz时钟频率所支持的高数据吞吐潜力，为需要大容量非易失存储的应用提供了坚实的基础。
该器件采用152-TBGA封装，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，符合商业级应用的通用规范。其设计旨在满足对连续数据读写性能有要求的场景，是构建高性能存储子系统的关键组件之一。
- 型号:MT29E512G08CKCCBH7-6:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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