MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR

MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR 是美光科技生产的一款128Gb（16GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-VBGA封装。该芯片基于非易失存储技术，工作电压为2.7V至3.6V，时钟频率达83MHz，支持高速数据读写，适用于表面贴装型设计。

其核心卖点在于大存储容量（16G x 8位组织）与并行接口的结合，为需要处理大量数据的应用提供了高效的存储解决方案。芯片工作在0°C至70°C温度范围内，并以卷带形式供货，适合自动化生产，主要面向工业控制、网络设备和消费电子等领域的嵌入式存储需求。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CECABH1-12Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-VBGA
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