MT44K64M18RB-083F:A TR

MT44K64M18RB-083F:A TR是美光科技生产的一款基于RLDRAM 3技术的易失性存储器芯片，提供1.125Gb（64Mb x 18）的存储容量。该器件采用并联接口，核心优势在于其高达1200MHz的时钟频率与仅6.67ns的访问时间，旨在为高带宽、低延迟应用提供卓越的数据吞吐性能。

其工作电压范围为1.28V至1.42V，采用168-TBGA表面贴装封装，工作结温范围为0°C至95°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠运行。这款有源状态的DRAM芯片主要面向需要极速数据缓存和交换的网络基础设施、高性能计算及专业图像处理系统。

• 制造商产品型号：MT44K64M18RB-083F:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：RLDRAM 3
• 存储容量：1.125Gb（64Mb x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：1200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：6.67ns
• 电压-供电：1.28V ~ 1.42V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TBGA
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