MT29F128G08CBEABH6-12:A TR是美光科技推出的一款128Gb（16G x 8位）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于成熟的闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其核心卖点在于高存储密度与标准化的高速接口。
芯片工作在2.7V至3.6V电压范围内，时钟频率支持至83MHz，通过152-VBGA封装实现表面贴装，适用于空间受限的嵌入式设计。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）确保了在常规商业和工业环境下的广泛适用性。尽管产品状态已标注为停产，但其规格参数代表了上一代大容量NAND闪存的典型设计，在需要可靠、大容量存储的延续性项目中仍具重要参考意义。
- 型号:MT29F128G08CBEABH6-12:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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