MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的SDRAM。该器件以256M x 32位的架构组织，在2.133GHz的高时钟频率下运行，能够为系统提供极高的数据传输带宽，满足现代移动计算对性能的迫切需求。
其核心优势在于实现了高性能与低功耗的出色结合。芯片采用0.6V和1.1V的双电压供电，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在各类严苛应用环境下的可靠运行与能效表现。该产品采用200-WFBGA小型化封装，以卷带形式供货，专为空间紧凑、要求高可靠性的表面贴装设计而优化。
- 型号:MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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