MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR

MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于支持高达267MHz时钟频率的Toggle Mode 2.0接口，能够实现高速数据吞吐，满足对带宽要求苛刻的应用需求。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，在0°C至70°C的商业温度范围内保持稳定运行。其16G x 8位的组织架构和表面贴装形式，使其非常适合集成到需要大容量、非易失性存储的紧凑型电子系统中，为数据存储提供高密度、高性能的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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