MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR 是美光科技推出的一款512Gb（64GB）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于3D NAND技术，提供了高存储密度和数据非易失性保障，其核心卖点在于支持高达267MHz的时钟频率，能够实现高速数据访问，满足对带宽要求严格的应用场景。

芯片采用132-VBGA表面贴装封装，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，确保了在多种商业及工业环境下的稳定运行。这些参数使其成为企业存储、数据中心及高性能嵌入式系统中构建大容量、高可靠性存储单元的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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