MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR是美光科技推出的一款大容量、高性能并行接口NAND闪存芯片。该器件提供2Tb（256G x 8）的非易失性存储容量，并支持高达333MHz的时钟频率，旨在实现高带宽的数据传输，满足数据中心和企业存储中对速度与容量兼具的需求。
其核心优势在于结合了高存储密度与高速并行接口，工作电压范围为2.5V至3.6V。这些特性使其非常适合应用于需要快速存取和处理海量数据的场景，例如服务器缓存、高性能计算存储和工业数据记录系统。
- 型号:MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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