MT29F2T08EMHBFJ4-T:B

MT29F2T08EMHBFJ4-T:B 是美光科技生产的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用3D TLC技术和并联接口。其核心卖点在于将高密度存储（256G x 8）与并行数据传输架构相结合，旨在满足对带宽和容量有严苛要求的应用场景。

该器件工作电压为1.7V~1.95V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围0°C~70°C，确保了在广泛商业及工业环境中的兼容性与可靠性。作为非易失性存储器，它为需要大容量、稳定数据存储的解决方案提供了关键硬件支持。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHBFJ4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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