MT29E2T08CUHBBM4-3:B 是美光科技推出的一款2Tb容量、并行接口的NAND闪存芯片。它采用闪存技术，提供非易失性存储，核心架构为256G x 8位组织，能够在333MHz的时钟频率下运行，从而实现高速的数据读写操作。
该器件工作电压范围为2.5V至3.6V，适用于商业温度环境（0°C至70°C）。其高密度与大带宽的特点，使其成为应对海量数据存储与高速传输需求的理想解决方案。
- 型号:MT29E2T08CUHBBM4-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
- 想获取MT29E2T08CUHBBM4-3:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
