MT29F128G08CBCEBRT-37B:E

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口设计，时钟频率高达267MHz，提供高速数据读写能力。该芯片基于非易失性闪存技术，存储结构为16G x 8位，工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于商业温度环境（0°C至70°C）。

其核心优势在于大容量存储与高速接口的结合，能够满足数据密集型应用对存储性能和可靠性的要求。芯片支持标准的NAND闪存操作命令，并集成ECC纠错功能，确保数据在传输和存储过程中的完整性。尽管产品状态为停产，但其技术规格在特定工业与嵌入式存储领域仍具应用价值。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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