MT29F4G08BABWP-ET TR是Micron Technology生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和512M x 8位的内部架构。该器件提供非易失性数据存储，工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围。
芯片采用48-TFSOP表面贴装封装，以卷带形式供货，便于自动化生产。其核心卖点在于将适中的存储容量、标准的并行接口与宽温工作特性相结合，为各类嵌入式系统提供了一个经过验证的存储解决方案。
- 型号:MT29F4G08BABWP-ET TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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