MT41J256M8HX-15E IT:D 是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用256M x 8位架构。该芯片基于DDR3技术，核心工作电压为1.5V（±5%容差），在实现高性能的同时注重能效控制。
其关键性能指标包括高达667MHz的时钟频率（对应1333 MT/s的数据速率）和13.5ns的访问时间，能够提供高带宽与低延迟的数据访问，满足密集型数据处理需求。器件采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，并具备-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于工业控制、网络通信及嵌入式系统等专业领域。
- 型号:MT41J256M8HX-15E IT:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT41J256M8HX-15E IT:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
