MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR

MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量LPDDR4同步动态存储器，采用256M x 32位双裸片封装（DDP）架构。该器件专为满足高性能移动和嵌入式应用对高带宽与极致能效的需求而设计。

其核心优势在于实现了存储密度、数据速率与功耗之间的出色平衡。通过采用先进的低电压供电和接口技术，该芯片在提供高速数据访问能力的同时，显著降低了系统整体功耗。其FBGA封装形式和卷带包装确保了设计的紧凑性与大规模生产的便利性，适用于空间受限且对功耗敏感的设计方案。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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