M29W128GH70ZA3E是美光科技的一款128Mb并行NOR闪存,采用64-TBGA封装。它提供16M x 8位或8M x 16位的灵活存储组织,支持快速的70ns访问和写入时间,确保了高效的数据吞吐和代码执行性能。
该器件工作电压为2.7V至3.6V,并具备-40°C至125°C的宽工作温度范围,满足工业及汽车等高要求环境的稳定性需求。其并行接口设计便于系统集成,适用于需要可靠非易失性存储和直接代码执行的嵌入式应用。
- 型号:M29W128GH70ZA3E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA(10x13)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8,8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA(10x13)
- 想获取M29W128GH70ZA3E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料