M58LT256KSB8ZA6E是一款由美光科技制造的256Mb并行NOR闪存芯片。该器件采用16位数据总线（16M x 16）和并联接口，提供高达52MHz的时钟频率与85ns的快速访问/写入时间，支持处理器高效执行就地读取（XIP）操作。
其工作电压范围为1.7V至2.0V，采用64-TBGA表面贴装封装，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的高可靠性和数据保持能力。这些特性使其适用于对启动速度、代码执行实时性和系统可靠性有严格要求的嵌入式应用。
- 型号:M58LT256KSB8ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-TBGA（10x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-TBGA
- 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
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