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MICRON
EDF8164A3MC-GD-F-R TR的图片

EDF8164A3MC-GD-F-R TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
原厂封装:封装:-
优势价格,EDF8164A3MC-GD-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDF8164A3MC-GD-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDF8164A3MC-GD-F-R TR是美光科技推出的一款8Gb容量Mobile LPDDR3 SDRAM存储器。该器件采用并联接口,核心配置为128M x 64位,在800MHz的时钟频率下运行,可实现高达1600MT/s的数据传输速率,为系统提供高带宽的内存访问能力。

其设计注重功耗与性能的优化,工作电压范围为1.14V至1.95V,支持低功耗运行模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。同时,该芯片支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性,适用于要求严苛的嵌入式与移动应用场景。

  • 型号:EDF8164A3MC-GD-F-R TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:128M x 64
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取EDF8164A3MC-GD-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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