MT29F1G08ABCHC:C TR

MT29F1G08ABCHC:C TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA表面贴装封装。该器件提供128M x 8位的存储组织方式，工作电压范围为1.7V至1.95V，兼容标准的低功耗系统设计。

其核心优势在于集成了成熟的NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，适用于0°C至70°C环境温度下的商业应用。该芯片的并联接口便于实现高效的数据传输，满足嵌入式系统中对固件、参数或用户数据存储的需求。

• 型号:MT29F1G08ABCHC:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 想获取MT29F1G08ABCHC:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料