M58LR128KB85ZB5E是美光科技生产的一款128Mbit并行NOR闪存芯片，采用8M x 16位的组织结构。该芯片基于1.8V电压平台，提供85ns的快速访问时间和高达66MHz的时钟频率，确保了高速的数据吞吐和代码执行能力，适合对性能有严格要求的嵌入式应用。
其采用56-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-30°C至85°C，满足工业级环境下的可靠性需求。该器件支持标准的并行异步接口，便于与主流微处理器连接，主要用于存储需要快速读取和原地执行的启动代码、操作系统内核或关键应用程序数据。
- 型号:M58LR128KB85ZB5E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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