MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

MT53D1G64D1G64D8SQ-053 WT ES:E是一款64Gb容量的移动低功耗双倍数据速率4（LPDDR4）同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该器件采用1G x 64位的内部架构，运行时钟频率可达1866MHz，旨在为移动和嵌入式应用提供高带宽与低功耗的核心内存解决方案。

其关键特性包括1.1V的低工作电压，有助于优化系统整体能耗。器件采用556-VFBGA紧凑型封装，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。工作温度范围为-30°C至85°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其在高性能、能效敏感型设备中的适用性。

• 型号:MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:1G x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:556-VFBGA
• 供应商器件封装:556-VFBGA（12.4x12.4）
• 想获取MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料