MT9HTF6472FY-53EB4E3

MT9HTF6472FY-53EB4E3是美光科技推出的一款512MB容量DDR2全缓冲内存模块（FBDIMM）。该模块采用240针FBDIMM封装，运行速率为533MT/s，专为需要高可靠性和强大扩展性的企业级计算平台设计。

其核心价值在于先进的全缓冲架构，通过集成内存缓冲器（AMB），将并行总线转换为串行链路。这一设计有效克服了传统内存架构的负载限制，允许在单个通道上连接更多内存模块，从而显著提升系统的最大可支持内存容量和信号完整性，非常适合用于构建大内存容量的服务器和工作站系统。

• Micron美光半导体完整型号: MT9HTF6472FY-53EB4E3
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE DDR2 512MB 240FBDIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR2 SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 533MT/s
• 封装/外壳: 240-FBDIMM
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