M29W640GH70ZA6E是美光科技推出的一款64Mb并行NOR闪存，采用48-TFBGA封装，工作电压为2.7V至3.6V。该器件提供8M x 8位或4M x 16位两种可配置的组织模式，具备70ns的快速访问和写入时间，支持-40°C至85°C的工业级温度范围。
其核心优势在于基于NOR架构的快速随机读取性能，适合作为嵌入式系统中程序代码的存储和执行介质。宽电压和宽温设计确保了其在严苛工业环境下的可靠性与稳定性，是一款面向高性能、高可靠性嵌入式应用的经典非易失性存储解决方案。
- 型号:M29W640GH70ZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
- 想获取M29W640GH70ZA6E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
