M29W256GH7AN6E是美光科技推出的一款256Mbit并行NOR闪存，采用56-TFSOP表面贴装封装。该芯片提供32M x 8位或16M x 16位的可配置组织方式，支持灵活的并行接口连接。
其核心性能参数包括70ns的快速访问时间和70ns的字/页写周期时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠运行。这些特性使其非常适合要求高速代码读取、直接执行以及高环境适应性的嵌入式应用。
- 型号:M29W256GH7AN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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