MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A

MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A是美光科技生产的一款1Tb容量并行NAND闪存芯片。该器件采用132-VBGA封装，支持2.5V至3.6V的宽电压供电，其核心卖点在于通过333MHz时钟频率的并联接口，提供了极高的数据吞吐带宽，适用于对存储速度有严苛要求的应用。

作为一款非易失性存储器，它在0°C至70°C的商业温度范围内保证数据可靠性。其128G x 8位的存储结构设计，兼顾了存储密度与访问灵活性，主要面向企业级存储、高速数据缓冲及网络设备等需要大容量、高性能闪存解决方案的领域。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料