MT47H128M8BT-5E L:A

MT47H128M8BT-5E L:A是一款由美光科技制造的1Gb（128M x 8）容量DDR2 SDRAM存储器芯片，采用92-VFBGA封装。该器件基于DDR2技术，在200MHz的时钟频率下实现400MT/s的数据传输速率，其核心特性包括600ps的快速访问时间与15ns的写周期时间，能够提供高效的数据吞吐性能。

该芯片工作电压为1.7V至1.9V，有助于降低系统整体功耗。它集成了片上终结（ODT）功能以优化信号完整性，并支持温度补偿自刷新（TCSR）等高级电源管理特性。其工作温度范围为0°C至85°C（TC），适用于广泛的商业级嵌入式与工业应用环境，为需要稳定、并行数据接口的存储解决方案提供了基础支撑。

• 型号:MT47H128M8BT-5E L:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
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