M29W256GH70ZS6E是美光科技生产的一款256Mb并行NOR闪存芯片，采用64-FBGA封装。其核心特性包括32M x 8位或16M x 16位的存储容量配置，以及70ns的快速访问与写入时间，为嵌入式系统提供了高效的非易失性数据存储解决方案。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。其并行接口设计简化了与主流处理器的连接，适用于需要快速启动和直接代码执行的各类工业控制、通信及汽车电子应用。
- 型号:M29W256GH70ZS6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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