MT41J64M16JT-125:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用64M x 16位的组织架构。该器件核心优势在于其800MHz的时钟频率，配合DDR3双倍数据速率技术，能够提供较高的数据传输带宽，满足对内存性能有要求的应用。
其工作电压范围为1.425V~1.575V，有助于实现更低的系统功耗。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适合嵌入式及工业环境。作为一款并联接口的易失性DRAM，它提供了DDR3标准的关键功能，适用于需要可靠、中等容量内存解决方案的各种电子系统。
- 型号:MT41J64M16JT-125:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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