M29F800FB55M3E2是美光科技生产的一款8Mbit并行NOR闪存芯片，采用44-SOIC封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的存储组织方式，兼容标准的微处理器接口，便于系统集成。
其核心性能参数包括55ns的快速访问时间和写周期时间，确保了高效的数据吞吐。器件工作电压范围为4.5V至5.5V，并支持-40°C至125°C的宽温工作，能够满足工业及汽车电子应用对可靠性的严苛要求。作为一款成熟的非易失性存储解决方案，它适用于需要可靠代码存储和快速读取的嵌入式场景。
- 型号:M29F800FB55M3E2
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:44-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:55ns
- 访问时间:55 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
- 供应商器件封装:44-SO
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